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本发明提供了一种基于丝网印刷制备全背接触晶硅异质结太阳电池结构的方法，属于光伏发电技术领域。本发明通过采用不同的牺牲层对电池的不同构成功能层进行保护，可确保图形化结构从第一牺牲层往电池构成功能层上转移的过程中不会对电池构成功能层产生任何损伤，所述的构成牺牲层的硅薄膜、氧化硅薄膜、氮化硅薄膜材料，性质稳定，对电池构成功能层的制备过程也不会产生影响，不影响太阳电池表面的钝化效果，也不影响光生少子的传输和收集，从而保障全背接触晶硅异质结太阳电池具有获得高转换效率的潜力，为全背接触晶硅异质结太阳电池的低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883424 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210576903.9
(22)申请日 2022.05.25
(71)申请人 中国科学院电工研究所
地址 100
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