包括非易失性存储单元的电子器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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包括非易失性存储单元的电子器件及其形成方法.pdf

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本发明题为“包括非易失性存储单元的电子器件及其形成方法”。本公开涉及一种包括NVM单元的电子器件。该NVM单元可包括漏极/源极区、源极/漏极区、浮栅电极、控制栅电极和选择栅电极。可能使用在同一管芯上形成功率晶体管、高压晶体管和低压晶体管的工艺流程来制造NVM单元。可能使用硬掩模来形成尺寸相对较小的NVM，以在栅叠层和选择栅电极之间限定栅叠层和间隔件。栅介电层可能用于低压区中的选择栅电极和晶体管，并且允许快速读取时间。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883331 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210109524.9 (22)申请日 2022.01.29 (30)优先权数据 17/248,750 2021