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半导体装置具有控制部，控制由电容元件构成的半导体存储器的改写电压；基准电容部，包括每个具有基准电容且经由开关元件连接到第一线路与规定电位的线路间的多个电容器；判定电容部，一端连接到第二线路且另一端接地，且由具有与构成半导体存储器的电容元件相同构造的电容元件构成；校准电路，将使多个电容器中的任一个选择性连接到第一线路与规定电位的线路间的选择信号供应到基准电容部；和判定电路，向第一线路送出充电电流对基准电容部的电容充电并向第二线路送出充电电流对判定电容部的电容充电，比较第一线路的电位与第二线路的电位
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114878016 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210116037.5
(22)申请日 2022.02.07
(30)优先权数据
2021-017559 202
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