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本发明属于微纳光电子技术领域,具体为一种光子存算一体器件和光子神经网络结构。本发明光子存算一体器件包括多环谐振器和光子存储材料,光子存储材料位于多环中的任意一个或几个上,或者位于通端或降端的波导上;在光子存储材料的上、下可添加电极层,通过光、电或热激励实现高带宽、高存储密度的光子存储和计算功能。本发明利用多环谐振器的宽通带、高品质因子特性,与波导上材料/器件的结构结合,实现高带宽、高存储密度的存算一体功能;光子神经网络包含由低阶多环谐振存储器构成的光子神经突触和由高阶多环谐振存储器构成的光子神经
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114881222 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210583701.7
(22)申请日 2022.05.25
(71)申请人 复旦大学
地址 200433 上海
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