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本发明公开了一种封装基板的制作方法及封装基板,涉及半导体封装技术领域。该方法包括以下步骤:准备双面覆铜的基板;对基板进行激光钻孔,形成通孔;对基板进行填孔电镀,以使通孔内形成实心铜柱;在实心铜柱的两端分别形成导通铜柱;蚀刻基板表面的铜箔;在基板的双面设置第一介质层,并使导通铜柱的端面暴露,以形成芯板。根据本发明实施例的封装基板的制作方法,能够形成高介厚、具有实心导通孔的芯板,解决了现有厚芯板非实心导通孔的工艺缺陷,改善了现有工艺中孔密度受限、以及非实心导通孔应力差等问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114900960 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210377565.6
(22)申请日 2022.04.11
(71)申请人 珠海越亚半导体股份有限公司
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