一种金刚石衬底上生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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一种金刚石衬底上生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延方法.pdf

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本发明公开了一种金刚石衬底上生长氮化镓高电子迁移率晶体管的外延方法，属于半导体外延材料技术领域。该方法利用高温化学气相淀积设备在金刚石衬底生长一层碳化硅与氮化铝组成的复合缓冲层，采用高温退火技术提升复合缓冲层的晶向一致性和结晶质量，基于以上模板再利用金属有机物化学气相淀积技术依次生长氮化铝高阻层、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层和氮化铝镓势垒层。本发明所提供的金刚石衬底上氮化镓外延方法，通过对氮化铝结合碳化硅新型复合缓冲层进行高温退火重结晶，解决大失配下金刚石衬底氮化镓外延层晶向控制难度大和缺陷密度高

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899099 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210464346.1 C30B 29/40 (2006.01) (22)申请日 2022.04.