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多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法.pdf

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    多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法，包括N个并联的1FeFET1R结构、输入晶体管、第一反相器和第二反相器，N为大于1的自然数，所述1FeFET1R结构包括电连接的FeFET和电阻，每个1FeFET1R结构的电阻均与输入晶体管电连接，所述输入晶体管的栅极通过第一反相器与其中一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接，该1FeFET1R结构中FeFET的栅极通过第二反相器与另一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接。本发明首次提出基于非易失存储器件且同时支持多比特存内内积暨

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114898792 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210390722.7 (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江

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