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本申请公开一种半导体器件及形成方法，包括：提供半导体基底，基底表面形成有栅极结构，位于栅极结构两侧的基底内形成有掺杂区；在栅极结构表面形成保护层，保护层全面覆盖栅极结构的表面并部分暴露掺杂区；在基底上形成介质层，介质层覆盖基底和保护层，保护层与介质层的材料不同；选择性刻蚀介质层至基底表面，形成第一接触孔，第一接触孔底部至少暴露部分掺杂区。通过在栅极结构表面形成保护层，保护层不会被刻蚀掉，即使发生对位偏移时，后续刻蚀和填充金属后，防止了半导体器件发生短路现象，降低了半导体器件对光刻机对位精度的要求
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883184 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210470650.7
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 广东芯粤能半导体有限公司
地址 5
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