具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法.pdf

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本申请公开了具有结栅极场效应晶体管的基于锗的传感器及其制造方法。本文公开了基于锗的传感器。示例性的基于锗的传感器包括锗光电二极管和结型场效应晶体管(JFET)，该结型场效应晶体管(JFET)由锗层形成，该锗层在一些实施例中设置在硅衬底中或者在一些实施例中设置在硅衬底上。在锗层和硅衬底之间设置掺杂硅层，该掺杂硅层可以通过原位掺杂外延生长的硅来形成。在锗层位于硅衬底上的实施例中，掺杂硅层设置在锗层和氧化物层之间。JFET具有掺杂多晶硅栅极，并且在一些实施例中，栅极扩散区域设置在锗层中并且在掺杂多晶硅

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883351 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210254472.4 (22)申请日 2022.03.15 (30)优先权数据 63/161,687 2021