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本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法,制备方法包括以下具体步骤:步骤1:溶液的制备,包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤;步骤2:器件的制备,包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤,源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极,本发明与现有制备工艺相比,可以在保证器件工作状态最佳的情况下,确认可以使用的最薄半导体层厚度,大大减小了半导体材料的使用浪费,优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899314 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210098922.5
(22)申请日 2022.01.27
(71)申请人 南京邮电大学
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