一种半导体器件的制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.9万字
约 20页
2023-05-19 发布于四川
举报
版权申诉

一种半导体器件的制造方法.pdf

1、本文档共20页，其中可免费阅读19页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在采用偶极子阈值调控技术实现对半导体器件中不同环栅晶体管的阈值电压调控的情况下，提高环栅晶体管的导电性能。所述半导体器件的制造方法包括：提供一基底。基底具有至少两类区域。每类区域上均形成有相应环栅晶体管包括的沟道。采用沉积工艺和选择性刻蚀工艺，在位于至少部分类区域上的沟道的外周形成相应厚度和相应材质的偶极子层，以使得不同类区域对应不同的阈值调控参数。在位于每类区域上的偶极子层或沟道上均依次形成相应环栅晶体管包括的栅介质层和栅极。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883270 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210344146.2 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10