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本发明公开了金刚石光子集成电路制备方法,包括制备可控缺陷单晶金刚石、制备金刚石谐振器和制备纳米线单光子探测器,具体包括以下步骤:首先在籽晶衬底上采用离子注入;然后在注入的热处理之后的单晶金刚石薄片上重新生长具有低缺陷密度的金刚石,以此来实现超薄的单晶金刚石制备;另外制备具有高品质因子的金刚石H型结构的可调谐振器;与此同时金刚石衬底上进行单光子探测器制造,并且对所制备的单光子探测器进行表征;最后在具有固体色心光源和谐振器结构的单晶金刚石薄膜上,制备金刚石波导,最后集成制备阵列的超导纳米线单光子探测
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883349 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210369633.4
(22)申请日 2022.04.08
(71)申请人 杭州电子科技大学
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