一种载流子存储沟槽栅IGBT.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.15万字
约 10页
2023-05-19 发布于四川
举报
版权申诉

一种载流子存储沟槽栅IGBT.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明实施例公开了一种载流子存储沟槽栅IGBT，包括集电极；设置于集电极一侧的第一导电类型集电区、第二导电类型缓冲区、第二导电类型漂移区以及第一导电类型体区；至少两个栅沟槽；第一栅沟槽包围的第一导电类型体区的表面设置有第二导电类型源区，载流子存储层；第一导电类型漂移区设置有屏蔽掺杂区，屏蔽掺杂区位于第二栅沟槽和第一栅沟槽之间，屏蔽掺杂区的深度大于第一栅沟槽以及第二栅沟槽在第一导电类型漂移区的深度，且包围第二栅沟槽和第一栅沟槽的底部；绝缘层；发射极。本发明可极大提高载流子存储层浓度，增强电导调制效

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883401 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210518221.2 (22)申请日 2022.05.12 (71)申请人深圳云潼科技有限公司地址 518