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本发明涉及功率器件技术领域，且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部，所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的底部开设有扩容槽，所述漂移层的底部固定安装有衬底，所述硅片主体的内部开设有沟槽，所述衬底的底部固定安装有漏极金属层，所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。通过在漂移层内壁开设扩容槽，从而增大漂移层的面积，且硅片主体尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899216 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210392572.3
(22)申请日 2022.04.15
(71)申请人 南京文采工业智能研究院有限公司
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