III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板.pdf

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本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114901876 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202080092360.2 (74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公