可控硅静电防护器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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可控硅静电防护器件及其制造方法.pdf

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本发明公开了一种可控硅静电防护器件及其制造方法，该可控硅静电防护器件包括：衬底；设置于衬底上的N型阱区和P型阱区；设置于N型阱区内的第一N+注入区和第一P+注入区；设置于P型阱区内的第二N+注入区和第二P+注入区；跨设在N型阱区和P型阱区上的第三N+注入区；与第三N+注入区相邻的第三P+注入区，其中，第三N+注入区和第三P+注入区的掺杂浓度均高于第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区和第二P+注入区的掺杂浓度；且当第三N+注入区与第三P+注入区构成的PN结结构发生齐纳击穿时，触发可控硅形

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883381 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202111620027.7 (22)申请日 2021.12.23 (71)申请人杰华特微电子股份有