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本申请提供了一种激光器及其制造方法,其中激光器包括无源段,无源段包括无源段波导层,光束在无源段波导层内沿第一方向传播,无源段波导层包括渐变区,渐变区沿第一方向厚度递减,渐变区沿第一方向宽度递增。制造方法包括在在基介质层上外延生长无源段波导层;制作掩膜;将掩膜盖在基介质层和部分无源段波导层上;将无源段波导层的渐变区刻蚀为沿第一方向厚度递减,沿第一方向宽度递增。本申请提供了一种激光器及其制造方法,能够提升激光器与光纤的耦合效率,省去额外的提升耦合效率的部件,简化芯片制作工艺,减少芯片制造成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899698 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210344280.2
(22)申请日 2022.04.02
(71)申请人 武汉敏芯半导体股份有限公司
地址
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