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本发明公开了一种在硅上形成锗器件的方法，其包括在锗供体晶圆的正面形成隔离结构和PIN光电二极管；进行氢离子注入以在PIN光电二极管下方的锗供体晶圆中形成氢注入层，在PIN光电二极管层上形成第一互连层；提供一硅电路晶圆，包括用于控制和读取PIN光电二极管的电路和至少一个第二互连层；进行第一互连层和第二互连层的初次键合以连接锗供体晶圆和硅电路晶圆；通过切割和剥离所述氢注入层处使PIN光电二极管层和第一互连层与锗供体晶圆分离；退火以完成第一互连层和第二互连层的最终键合。该方法工艺简单且避免了锗外延可能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114883354 A
(43)申请公布日 2022.08.09
(21)申请号 202210535979.7
(22)申请日 2022.05.17
(71)申请人 浙江兴芯半导体有限公司
地址 31
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