一种低温无氧条件下制备Cu3P的方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种低温无氧条件下制备Cu3P的方法.pdf

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本发明公开了一种低温无氧条件下制备Cu3P的方法，涉及半导体材料制备技术领域。具体公开了：将PH3气体与含CuO固体材料在≤60℃的无氧条件下进行气‑固反应，得到Cu3P。本发明能够在低温无氧条件下实现Cu3P的直接合成，反应条件温和、简单易控制、制备周期较短、无固体副产物产生；其次，本发明制备过程无需较复杂工业设备，制备合成温度≤60℃，能耗较低且较易实现工业化规模生产。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114920223 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210540400.6 (22)申请日 2022.05.17 (71)申请人昆明理工大学地址 65