一种基于绝缘层的半导体激光器次热沉结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种基于绝缘层的半导体激光器次热沉结构及其制备方法.pdf

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本发明属于半导体激光器技术领域，公开了一种基于绝缘层的半导体激光器次热沉结构及其制备方法。所述半导体激光器次热沉结构依次包括碳化硅次热沉、绝缘层、金属层和焊接层；在金属层上刻蚀绝缘沟槽，所述绝缘沟槽将金属层分成两部分，在其中一部分金属层的表面上制备焊接层。本发明利用磁控溅射法，在碳化硅次热沉上制备绝缘薄膜氮化硅或二氧化硅作为绝缘层，解决的高功率大电流工作时碳化硅次热沉漏电的问题，提高电光转换效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927936 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210545437.8 (22)申请日 2022.05.19 (71)申请人广东工业大学地址 510062