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本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，其中，所述半导体结构包括：多个晶体管，位于半导体层中；每个晶体管均包括沿第一方向延伸的半导体主体及覆盖所述半导体主体的至少一个侧面的栅极结构；所述第一方向为所述半导体层的厚度方向；多个导电柱；每一导电柱位于相应的一个半导体主体的顶面上，且与所述相应的一个半导体主体直接接触；存储结构，覆盖所述多个导电柱。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114927521 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210376236.X
(22)申请日 2022.04.11
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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