一种在GaN单晶衬底上生长钙钛矿纳米晶及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种在GaN单晶衬底上生长钙钛矿纳米晶及其制备方法.pdf

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一种在GaN单晶衬底上生长钙钛矿纳米晶及其制备方法，制备方法的步骤为：(1)用丙酮、异丙醇、去离子水依次对GaN单晶衬底清洗，然后在紫外等离子体清洗仪中处理；(2)钙钛矿前驱体溶液的制备；(3)钙钛矿纳米晶的制备：将钙钛矿前驱体溶液旋涂到GaN衬底上，旋涂过程中加入反溶剂氯苯；旋涂结束静置，再放置在加热台上保温，使钙钛矿结晶制得卤素钙钛矿纳米晶。本发明具有操作简单方便，成本低，易于大面积成膜的优点，且获得的钙钛矿纳米晶具有均匀性好，结晶质量高，可见光吸收范围广等特点。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114920282 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210758099.6 B82Y 30/00 (2011.01)