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本发明涉及太阳能电池技术领域，具体地说，涉及一种N型单晶硅基底叠瓦太阳能电池及其制作方法。其包括以下步骤：取用6‑10重量份的碳、12‑15重量份的氯化氢、6‑10重量份的二氧化硅、1‑2重量份的扩散剂、6‑8重量份的硼、氮和磷混合料；加热二氧化硅并投入碳，使得硅被还原得到粗硅，投入氯化氢，对粗硅提纯得到精硅；对精硅沉积得到单质硅，使得单质硅熔融，投入扩散剂改变透光性，并投入硼、氮和磷，使得单质硅冷却凝固形成含有硼、氮和磷杂质的高纯度单晶硅；对单晶硅进行切片，将单晶硅切割成多个方片，并将多个方片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914322 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202210537360.X
(22)申请日 2022.05.18
(71)申请人 一道新能源科技（衢
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