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本揭露提供了一种图案化堆叠及制造半导体结构的方法。图案化堆叠包含在基板上方的底部抗反射涂布(BARC)层、在底部抗反射涂布层上方的具有第一抗蚀刻性的光阻剂层、及在光阻剂层上方的具有大于第一抗蚀刻性的第二抗蚀刻性的顶部涂布层。顶部涂布层包含具有聚合物主链的聚合物,聚合物主链包含至少一个高抗蚀刻性的功能单元及连接至聚合物主链或硅笼化合物的一或多个酸不稳定基团。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114911133 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202210382238.X
(22)申请日 2022.04.12
(30)优先权数据
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