一种PVT法生长碳化硅晶体的方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种PVT法生长碳化硅晶体的方法.pdf

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本申请提供了一种PVT法生长碳化硅晶体的方法，其包括以下步骤：将放置有碳化硅原料和籽晶的坩埚置于生长炉内；对生长炉抽真空并加热，通入含有甲烷的保护气体；生长碳化硅晶体。本申请通过引入含有甲烷的保护气体，调整碳化硅晶体生长过程中硅组分和碳组分的比例，避免碳化硅晶体在富硅气氛下出现碳包裹体、微管、位错等缺陷，进而生长出高质量的碳化硅晶体。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114921849 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210639144.6 C30B 29/36 (2006.01) (22)申请日 2022.06.