制造半导体器件的方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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制造半导体器件的方法.pdf

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在制造半导体器件的方法中，在要蚀刻的目标层上方形成掩模图案，并且通过使用掩模图案作为蚀刻掩模来蚀刻目标层。通过使用电子回旋共振(ECR)等离子体蚀刻装置执行蚀刻，该ECR等离子体蚀刻装置包括一个或多个线圈，并且在蚀刻目标层期间，通过改变到一个或多个线圈的输入电流来改变ECR等离子体蚀刻的等离子体条件。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927416 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210002716.X (22)申请日 2022.01.04 (30)优先权数据