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本发明公开了一种中高性能钕铁硼及制备方法,通过主辅相双合金工艺,主相合金为低稀土总量的铈铁硼,辅相为高稀土总量的钕铁硼合金,避免主相轻稀土进入晶界,而辅相中富余的稀土进入晶界重构成富稀土相。将制备的磁体加工成薄磁片,磁控溅射HReM低熔点合金,实现了低温晶界扩散,该合金提高了晶界浸润性,也提高了富稀土相的流动性,使含铈钕铁硼主、辅相晶粒,在晶界扩散时被快速隔离,低温扩散避免了扩散入的重稀土被镨钕铈元素置换,抑制了铈铁硼晶粒间交换耦合,使重稀土游离于晶界,或与富稀土相作用在主相晶粒表层形成核壳结构
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114914046 A
(43)申请公布日 2022.08.16
(21)申请号 202210437883.7 B22F 9/04 (2006.01)
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