半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一层间介质层以及贯穿所述第一层间介质层的第一开口；执行多次铜电镀工艺形成铜薄膜以分步骤填充第一开口，直至填满所述第一开口，并且每次执行铜电镀工艺之后均进行一次退火工艺；形成第二层间介质层，所述第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层以及所述铜薄膜，且所述第二层间介质层内形成有MIM电容。本发明每次执行铜电镀工艺之后均进行一次退火工艺，使得最终形成的铜薄膜的金属键结良好达到释放应力的效果，从而防止铜薄膜的突起，在后

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927412 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210840565.5 (22)申请日 2022.07.18 (71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司地址