硅基探测器及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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硅基探测器及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种硅基探测器及其制作方法，该硅基探测器通过设计氧化隔离层的厚度由中部凹槽处向边缘处呈递增趋势，由此使得在离子注入时，第一掺杂区边缘处的纵向掺杂深度比中间位置处的纵向掺杂深度要小，减小了注入区边缘位置处的曲率；此外缩短了注入区边缘位置硅氧界面处到第二电极层的距离，使该硅氧界面位置处固定电荷的电力线能部分终止于第二电极层处；提高了器件在受到X射线辐照总剂量效应下的击穿电压，降低器件的暗电流，使得硅基探测器具有较高的可靠性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927589 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210338297.7 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 10