一种沟槽肖特基器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种沟槽肖特基器件及其制作方法.pdf

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本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927421 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210547545.9 (22)申请日 2022.05.18 (71)申请人捷捷微电(南通)科技有限公司地址