Cu2O/ZnO纳米线阵列复合薄膜光催化材料的制备方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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Cu2O/ZnO纳米线阵列复合薄膜光催化材料的制备方法.pdf

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本发明提供了一种Cu2O/ZnO纳米线阵列复合薄膜光催化材料的制备方法，首先采用两步法在氟掺杂二氧化锡导电玻璃(FTO)基底上制备得到ZnO纳米线阵列薄膜：具体地，第一步通过浸渍‑提拉法得到ZnO种子层；第二步利用水热生长得到ZnO纳米线阵列薄膜；然后采用电化学沉积的方法在ZnO纳米线阵列薄膜上成功负载Cu2O颗粒，从而制得Cu2O/ZnO复合薄膜。本发明以FTO为基底，可控制备了具有优异光催化性能的复合材料，其在模拟可见光照射下对盐酸强力霉素的降解率可达70％～80％，这表明该方法所制备的催化

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114917913 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210581201.X C02F 1/30 (2006.01)