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本发明提供了一种具有多孔核壳异质结构C/Mo2C@SnS2吸波材料及其制备方法。该吸波材料包括C/Mo2C微球和SnS2纳米片,SnS2纳米片均匀分布在C/Mo2C微球的表面,形成SnS2纳米片外壳。该吸波材料是以Mo‑PDA聚合物为前驱体,通过高温碳化法将其转化为C/Mo2C微球,然后经油浴法在C/Mo2C微球外表面生长SnS2纳米片外壳所得。该吸波材料克服了单一介电组分阻抗匹配差和衰减能力有限的问题,表现出丰富的介电极化损耗特征,且其吸波性能可控、稳定,可作为一种薄厚度、强吸收特性的吸波材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114920232 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210684776.4
(22)申请日 2022.06.17
(71)申请人 同济大学
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