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本发明属于半导体集成电路设计领域,具体涉及一种大动态低附加相移射频可编程增益放大器,包括偏置电压、晶体管M1‑M5、电阻R1‑R4、电感L1‑L2、两个电流控制阵列、两个相位补偿阵列,其中晶体管M1和晶体管M2组成共源极差分对管,电阻R1与电阻R2分别为晶体管M1和晶体管M2提供栅压偏置;晶体管M3和晶体管M4组成共栅极放大级;晶体管M5为尾电流源,用于保障放大器整体电流不变;电流控制阵列用于实现对放大器增益的编程控制;相位补偿阵列用于消除前馈电容影响,减小增益变化引起的附加相移,本发明提高了C
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114928339 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210506577.4
(22)申请日 2022.05.11
(71)申请人 中国电子科技集团公
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