半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备.pdf

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本发明涉及一种半导体器件的加工控制方法、装置及高能粒子束光刻设备，该方法将若干层集成电路子版图分别转化为灰度图片/数字文件，根据高能粒子束加工参数与灰度值/目标参数值之间的对应关系，获取灰度图片/数字文件中各像素点对应的高能粒子束加工参数，在目标基材上每制作完一层材料层之后，再在该层材料层上设置一层硬掩模，根据高能粒子束加工参数，控制光刻设备发射高能粒子束穿过硬掩模作用于该层材料层上，雕刻灰度图片/数字文件对应的图案至该层材料层，之后去除该层材料层上的硬掩模，依次制作下一层材料层，重复执行上述步

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 114927410 B (45)授权公告日 2023.03.31 (21)申请号 202210258895.3 (51)Int.Cl .