一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法.pdf

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本发明涉及一种低漏电耐高温氧化镓异质结二极管及制备方法，属于功率半导体器件领域。该二极管为垂直结构，包括阳极金属接触区、P型NiO材料层、N‑漂移区、N+衬底、阴极金属接触区和绝缘层。本发明基于垂直结构Ga2O3异质结功率二极管，采用高温氧化工艺制备P型NiO层薄层，综合提升器件导通电阻、提升击穿电压、高温下低漏电流等特性。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927576 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210547499.2 (22)申请日 2022.05.18 (71)申请人重庆邮电大学