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2023-05-20 发布于北京
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本发明提供了一种存储器，衬底包括若干沿第一预定方向延伸的有源区；所述衬底形成有多条且沿着第二预定方向延伸并穿过相应的有源区的位线结构，所述位线结构位于所述衬底上的部分构成第一位线结构，所述位线结构自所述衬底上延伸至所述有源区中的部分构成第二位线结构；所述第二位线结构与所述有源区之间形成有金属硅化物层，通过所述金属硅化物层电性连接所述有源区与所述第二位线结构，由于所述金属硅化物层具有较低的电阻率，从而可以降低有源区与所述第二位线结构之间的接触电阻，进而了提高存储器的性能。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914243 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210531250.2 (22)申请日 2020.05.08 (62)分案原申请数据 202010394881.5