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本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底以及在基底上的多个间隔排布的沿第一方向延伸的堆叠结构，堆叠结构包括：在垂直于基底表面方向上间隔设置的多个半导体层，且半导体层相对的顶面和底面均具有第一牺牲层，第一牺牲层远离半导体层的表面均具有第二牺牲层，同一刻蚀工艺对第一牺牲层与第二牺牲层具有不同的刻蚀速率，相邻的堆叠结构之间具有隔离层，基底包括字线区；去除字线区的隔离层以及第一牺牲层；在字线区形成初始字线层；去除位于字线区的第二牺牲层；刻蚀孔露出的部分初始字线层，以形成多个字线
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114927478 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210494628.6
(22)申请日 2022.05.07
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 230
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