用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法.pdf

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本公开涉及一种用于具有与FET栅极对准的外基极的双极型晶体管的集成电路结构和方法。本公开的方面提供了一种在衬底内具有双极型晶体管堆叠的集成电路(IC)结构。双极型晶体管堆叠可以包括：集电极、位于集电极上的基极、以及位于基极的第一部分上的发射极。发射极的水平宽度小于基极的水平宽度，并且发射极的上表面与衬底的上表面基本共面。外基极结构位于双极型晶体管堆叠的基极的第二部分上并与发射极水平相邻。外基极结构包括位于衬底的上表面上方的上表面。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927568 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210122456.X H01L 27/06 (2006.01)