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一种半导体结构的制造方法，包括提供具有半导体基板的工件，半导体基板包括第一和第二电路区；形成在第一电路区中的第一有源区和在第二电路区上的第二有源区；形成在第一有源区上的具有第一栅极间距的第一栅极堆叠和在第二有源区上的具有第二栅极间距的第二栅极堆叠，第二栅极间距与第一栅极间距不同；执行离子注入以引入掺杂物质到第一有源区；执行蚀刻工艺，从而使第一有源区的第一源极/漏极区和第二有源区的第二源极/漏极区凹陷；以及外延成长在第一源极/漏极区内的第一源极/漏极特征和在第二源极/漏极区内的第二源极/漏极特征。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114927468 A
(43)申请公布日 2022.08.19
(21)申请号 202210207809.6
(22)申请日 2022.03.04
(30)优先权数据
17/225,904 2021
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