半导体结构及其形成方法、存储器.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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半导体结构及其形成方法、存储器.pdf

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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供衬底；在衬底一侧形成第一有源层，第一有源层包括多个间隔分布的有源区；在每个有源区中形成第一字线；在第一有源层的顶部形成第一位线和导电接触塞，第一位线、导电接触塞以及第一字线之间相互绝缘；在第一有源层、第一位线及导电接触塞背离衬底的一侧形成栅介质层；在栅介质层背离衬底的一侧形成第二有源层；在第二有源层背离衬底的一侧形成第二位线和第二字线，第二位线和第二字线分别与第二有源层接触连接。本公开的形成方法可减少漏

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114927481 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202210557099.X (22)申请日 2022.05.20 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230