反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法.pdfVIP

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2023-05-20 发布于北京
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反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法.pdf

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本发明提供即使在薄膜吸收膜所使用的材料对于EUV光的消光系数k大的情况下，也能够缩短电子束校正蚀刻所需时间的反射型掩模坯、反射型掩模、反射型掩模的制造方法、以及反射型掩模的校正方法。本实施方式涉及的反射型掩模坯(10)具有：基板(1)、多层反射膜(2)、封盖层(3)、低反射部(5)，低反射部(5)由吸收膜(A)和吸收膜(B)交替层叠而成，吸收膜(A)的电子束校正时的校正蚀刻速率大于吸收膜(B)的电子束校正时的校正蚀刻速率，吸收膜(B)含有选自锡、铟、铂、镍、碲、银及钴中的1种以上的元素。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114930245 A (43)申请公布日 2022.08.19 (21)申请号 202080086842.7 (74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理