一种常关型GaN/AlGaN HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-23 发布于四川
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一种常关型GaN/AlGaN HEMT器件及其制备方法.pdf

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本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种常关型GaN/AlGaNHEMT器件及其制备方法。所述常关型GaN/AlGaNHEMT器件，包括：衬底、半极性微米线阵列、SiO2介质层、源电极、漏电极和栅电极；所述衬底表面设置有槽口宽于槽底的梯形凹槽，所述梯形凹槽的斜面上依次生长有AlN缓冲层、本征GaN层和本征AlGaN层，形成半极性微米线阵列；所述半极性微米线阵列的上方设置有SiO2介质层、源电极、漏电极和栅电极。所述常关型GaN/AlGaNHEMT器件的结构简单、性能稳定，且制备方法简便。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112164717 A (43)申请公布日 2021.01.01 (21)申请号 202010967172.1 (22)申请日 2020.09.15 (71)申请人五邑

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