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本发明属于半导体工艺和器件领域，公开了一种InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法。所述InGaN/GaN多量子阱微米线的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底表面进行蚀刻，得到倒梯形凹槽；(2)在倒梯形凹槽的侧壁上依次沉积AlN缓冲层、N型GaN层、InGaN/GaN多量子阱和P型GaN层，得到带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底；(3)将带有InGaN/GaN多量子阱微米线的衬底放入剥离液中，释放得到所述InGaN/GaN多量子阱微米线。采用上述制备方法，能够制得极性和半极性的InGa
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164738 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010967184.4 H01L 33/32 (2010.01)
(22)申请日 2
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