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本发明公开了一种衬底剥离方法。本发明的衬底剥离方法包括以下步骤:(1)在第一衬底上沉积AlN材料,形成复合基板,其中,沉积AlN材料过程中的环境气氛掺有氧元素,使得AlN材料中氧原子浓度高于1E16cm‑3;(2)将复合基板置于退火炉中,升温至1400‑2000℃,并在此温度退火0.5‑24h,在退火过程中,在AlN材料与第一衬底的界面上方形成反型边界,退火后降温将复合基板取出;(3)在经过退火的复合基板上外延生长外延层,形成完整的外延片;(4)将激光从第一衬底面照射,激光光斑聚焦在反型边界,使
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164672 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010943817.8
(22)申请日 2020.09.09
(71)申请人 广东省科学院半导体研究所
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