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本发明公开了基于电子缓冲器的深紫外发光二极管及其制作方法，所述深紫外发光二极管包括：衬底和在所述衬底上依次外延生长的缓冲层、n型半导体层、电子缓冲器、有源层、p型半导体层和接触层，其中，所述电子缓冲器为非掺杂BxAl1‑xN层和n型AlyGa1‑yN层交替生长的多周期复合结构，所述多周期复合结构中最后生长的非掺杂BxAl1‑xN层与所述有源层中的第一个垒层接触。本发明能够显著改善二极管中有源区的空穴注入并有效缓解电子泄露，提高有源区的辐射复合速率，从而提高紫外LED的发光效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112164740 A
(43)申请公布日 2021.01.01
(21)申请号 202010926596.3
(22)申请日 2020.09.04
(71)申请人 广东省科学院半导体研究所
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