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一种用于在半导体设备中结合浅沟槽隔离来制造导电深沟槽的方法(200)。所描述的方法引入了一个完整的序列，在完整的序列期间，在深沟槽被蚀刻(230)和填充(240)之前，浅沟槽被蚀刻(210)和填充(220)。所描述的方法有利地减少了与在浅沟槽隔离结构内形成导电深沟槽相关联的锥形缺陷和工艺复杂性。在该完整的序列下制造的导电深沟槽可以延伸穿过浅沟槽介电层并进入衬底，其中导电深沟槽和浅沟槽介电层二者的顶部表面基本上无锥形。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112204705 A
(43)申请公布日 2021.01.08
(21)申请号 201980012220.7 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限
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