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本发明涉及一种与GaNHEMT电力电子器件单片集成的CMOS反相器及制备方法,该CMOS反相器包括:衬底、复合缓冲层、沟道层、复合势垒层、P‑InGaN层、PMOS源电极、PMOS漏电极、PMOS绝缘介质层54、PMOS栅电极、NMOS源电极、NMOS漏电极、NMOS绝缘介质层、NMOS栅电极和互联金属。该CMOS反相器在复合势垒层上制备P‑InGaN层,可以产生空穴,耗尽复合势垒层和沟道层之间的二维电子气,与复合势垒层的界面处形成二维空穴气,从而形成PMOS的导电沟道,提高了PMOS器件的输
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185959 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010887541.6 H01L 29/423 (2006.01)
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