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一种探测器及制作工艺.pdfVIP

一种探测器及制作工艺.pdf

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    本发明提供了一种探测器及制作工艺，探测器包括：波导层；所述波导层包括相互隔断的第一本征区和第二本征区、与所述第一本征区相连的N型区、与所述第二本征区相连的P型区；电极；包括阳极和阴极；所述阳极设置在所述P型区上，所述阴极设置在所述N型区上；绝缘层；设置于所述阴极与所述第一本征区、所述阳极与所述第二本征区以及所述第一本征区和第二本征区之间，并覆盖所述波导层。解决了缺陷态的硅基全硅探测器在进行长波长吸收的同时具有较大的暗电流的问题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112201714 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011039425.5 (22)申请日 2020.09.28 (71)申请人 三明学院 地址 36

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