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2023-05-24 发布于四川
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一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS2制备方法.pdf

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本发明提供了一种富含缺陷的超薄二维纳米MoS2制备方法，属于光催化剂技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：(1)将市售的MoS2与有机酸还原剂混合，所述MoS2与有机酸还原剂的摩尔比为16:1～1:1；(2)向步骤(1)的混合物料中加入介质球进行球磨；(3)将球磨完毕的物料洗涤后干燥，即得富含缺陷的超薄二维纳米MoS2。本发明一方面采用机械力固相化学反应，具有所需设备简单便捷、无溶剂绿色环保易于宏量制备的特点；另一方面，通过酸性还原性物质与MoS2的原位化学反应实现对缺陷硫空位的构建，具备

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112194185 A (43)申请公布日 2021.01.08 (21)申请号 202011091109.2 (22)申请日 2020.10.13 (71)申请人西南科技大学

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