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提出了可控硅整流器SCR。SCR包括半导体本体,其包括第一主表面和有源器件区。在第一主表面处的第一、第二、第三和第四表面接触区域沿着第一横向方向一个接一个地直接布置。半导体本体在第一至第四表面接触区域中的每个处电接触。SCR还包括第一、第二、第三和第四SCR区。第一和第三SCR区是第一导电类型的并且分别直接邻接第一和第三表面接触区域,并且第二和第四SCR区是第二导电类型的并且分别直接邻接第二和第四表面接触区域。SCR还包括第一导电类型的第一阱区。第二SCR区在第一主表面处与第一阱区至少部分地重叠
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112185953 A
(43)申请公布日 2021.01.05
(21)申请号 202010630301.8
(22)申请日 2020.07.03
(30)优先权数据
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